陈星弼院士去世 国际功率器件新里程碑的领路人，2019年12月4日17时10分，“中国功率器件领路人”陈星弼在四川成都逝世，享年89岁。

陈星弼，1931年1月出生于上海，1952年毕业于国立同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选中国科学院院士。

他是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，该发明被称为“功率器件的新里程碑”。2018年，在功率半导体领域最顶级的学术年会上，陈星弼院士入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。

国际著名半导体器件物理学家、微电子学家，中国科学院院士，IEEE Life Fellow，九三学社社员，电子科技大学教授陈星弼先生，因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在成都逝世，享年89岁。